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元件参数资料
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参数目录42284
> NP82N04MDG-S18-AY MOSFET N-CH TO-220
型号:
NP82N04MDG-S18-AY
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET N-CH TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NP82N04MDG-S18-AY PDF
标准包装
900
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
82A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫欧 @ 41A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
9000pF @ 25V
功率 - 最大
1.8W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220-3
包装
管件
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